各有关单位：

国家自然科学基金委员会近日发布了三项指南引导类原创探索项目指南，具体如下：

一、集成电路关键材料前沿探索

本项目面向集成电路用关键材料，通过材料、化学、物理和信息等多学科的深度交叉融合，针对集成电路制造过程中涉及到的关键金属材料、无机非金属材料及有机高分子材料，探索材料制备与应用的新原理、新方法与新技术，推动原始创新，为突破集成电路材料领域的“卡脖子”难题提供基础支撑，服务国家重大战略需求，引领国际科技前沿。资助方向如下：

（一）极紫外高分子光刻胶。

（二）本征型层间互连封装光刻胶。

（三）集成电路用高分子复合材料界面微结构演变与失效机理研究。

（四）柔性集成电路载板的材料设计与性能调控。

（五）面向非硅CMOS器件的新型沟道材料。

（六）面向后摩尔时代低能耗器件的晶体栅介质材料。

（七）面向高集成度电光调制器的纳米光子材料。

（八）面向高密度三维堆叠存储阵列应用的铁电材料。

（九）晶圆级Sn-Ag微凸点互连材料。

（十）极限制程封装电接触材料精准构筑及电子结构调制。

本项目资助期限为3年，计划资助8-10项，平均资助强度200万元/项。预申请提交时间为2023年11月24日－11月26日16:00时。

具体详情参见基金委网站：

https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90825.htm

二、复杂恶劣条件下水电工程智能建设新理论新方法

本项目聚焦复杂恶劣条件下巨型水电工程建设难点和挑战，在超深厚覆盖层堆石坝面板混凝土浇筑振捣质量控制、面板韧性与结构性态演化、深埋超大规模地下厂房洞室群开挖钻爆等方面，开展智能感知、精准分析模拟、智能馈控研究，建立水电工程智能建设创新理论与方法。资助方向如下：

（一）复杂恶劣条件下堆石坝面板混凝土振捣探测智能感知。

（二）超深厚覆盖层堆石坝混凝土面板韧性时变分析。

（三）深埋超大规模地下厂房洞室群复杂岩体智能钻爆。

本原创项目资助期限为3年，计划资助3项，平均资助强度200万元/项。预申请提交时间为2023年11月24日－11月26日16:00时。

具体详情参见基金委网站：

https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90823.htm

三、芯片亚纳米级制造前沿探索

本项目围绕未来芯片制造面临的共性基础科学问题，旨在通过揭示表界面亚纳米级尺度的定域、定量、定势调控机制，建立亚纳米级精度表面与结构的可控加工方法，为发展原子级制造开展先导性探索，支撑新一代芯片制造关键工艺和装备能力的升级换代。资助方向如下：

（一）芯片制造过程中的亚纳米级去除新原理与新方法。

（二）芯片先进制程中的三维亚纳米级结构构筑新原理与新方法。

（三）第四代半导体材料的亚纳米级制造新原理。

（四）芯片亚纳米级制造过程中的缺陷检测与修复。

本原创项目资助期限为3年，计划资助4-5项，平均资助强度200万/项。预申请提交时间为2023年11月24日－11月26日16:00时。

具体详情参见基金委网站：

https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90822.htm

原创项目从预申请开始直到自然科学基金委作出资助与否决定之前，不计入申请和承担总数范围；获资助后计入申请和承担总数范围。请有意申报的老师认真阅读项目指南，根据要求在规定的时间内上报有关材料。

联系人：李璐璐

电 话：63606707

Email： lilulu08@ustc-mpa.ustc.tsg211.com

科研部      

2023年11月14日

更多项目申报信息请参见科研部日历：http://kp2020.ustc-mpa.ustc.tsg211.com/calendar